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          在钙钛矿卤化物电子 - 空穴重组机制

          • [2020年2月20日]

            一个研究小组为首的教授。从物理系赵锦,中国科学技术(USTC)的大学研究发现低频声子晶格中的钙钛矿造成高缺陷宽容电子 - 空穴复合卤化物走向与他们的自主开发的软件,合肥NAMD。该研究发表于 科学的进步 2月14日,其中教授。从手机澳门新莆京教授和赵瑾。一的Wissam。赛义迪被correspondiente合着者和医生。从中科大楚渭滨是第一作者。

            已在各种生活蔓生或工业应用中使用的去过的太阳能电池,而太阳能半导体仍然骚扰制造商的效率和耐久性。在半导体材料中的缺陷形成的电子 - 空穴(E-H)太阳能有损于复合中心的转换效率。这是一个重要的问题。在这个科学领域。

            早在20世纪50年代,科学手机澳门新莆京肖克利,阅读和霍尔提出了著名的肖克利读霍尔(SRH),通过该缺陷态在禁带体育课的形式复合中心模型。而几十年来,抽象的模型,被改编许多科学手机澳门新莆京在该领域的半导体。然而,它不占电子 - 声子耦合哪个是用于通过非辐射复合过程E-H键。

            在工作中,教授。赵金的组调查了E-H进程由于在引线甲基铵卤化物重组本点缺陷(mapbi3使用从头分子动力学和服用非绝热因素计数精确地电子 - 声子这样的相互作用,能量水平,核速度,退相干效应和载流子浓度)的钙钛矿。他们发现,在mapbi这电荷重组3 没有不管的增强推出浅或深态带的缺陷,这意味着WRS理论失效。  

            虽然电子 - 声子分析定量耦合,他们证明了光生载流子被耦合仅低频声子随着电子和空穴的状态和重叠弱,解释为什么mapbi3 仍显示出高的太阳能转换效率随着许多缺陷。这些发现的功能性半导体材料的太阳能转换将来设计显著。

            落入在形成mapbi复合中心的缺陷体育3 systems. (A) Schematic map of the by-defect e-h recombination processes. (B) e-h recombined percentage for different systems after 2 ns. (C & D) The direct and by-defect e-h recombined percentage. (Copyright from American Association for the Advancement of Science, 2020)

            (撰稿:赵晓娜,通过李晓西主编,手机澳门新莆京新闻中心)





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